STB5NK52ZD-1

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为高压开关损耗而困扰？当520V的高压应用场景需要兼顾效率与可靠性时，STB5NK52ZD-1的出现，正是为破解这一难题而来。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，以其卓越的高压性能和优化的开关特性，为您的电源设计注入强劲动力。

想象一下，在工业开关电源、UPS不间断电源或照明镇流器的核心电路中，稳定的高压切换是系统可靠运行的基石。STB5NK52ZD-1凭借其520V的漏源电压和4.4A的连续漏极电流能力，轻松应对严苛的电气环境。其1.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着更低的传导损耗，能将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。这对于提升整机效率、降低温升、延长设备寿命有着立竿见影的效果。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的高频开关，还是电机驱动中的硬开关挑战，它都能展现出从容不迫的稳定性。

选择STB5NK52ZD-1，就是选择了一份经过市场验证的安心。其采用的I2PAK通孔封装，不仅提供了优异的散热路径，确保70W的功率耗散能力得以充分发挥，也兼顾了生产的便利性与连接的牢固性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种极端气候下都能稳定工作。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装物料，用于现有产品的维护、升级或特定批次的生产。这不仅仅是一颗晶体管，更是一个能够帮助您优化产品性能、提升市场竞争力值得信赖的伙伴。让STB5NK52ZD-1成为您高压、高效设计蓝图中的关键一笔，开启能效新境界。

• 型号:STB5NK52ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB5NK52ZD-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。