STB60NF06LT4

在追求极致效率的电力电子世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载60A大电流、导通电阻低至14毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STB60NF06LT4，这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，正是为高效、可靠的功率转换而生。

无论是工业电机驱动中需要快速响应的变频器，还是服务器电源里要求极高效率的DC-DC转换模块，甚至是不断小型化的车载充电器，STB60NF06LT4都能游刃有余。其高达60V的漏源电压和175°C的结温工作范围，赋予了它应对严苛环境的强大底气。在紧凑的D2PAK封装下，它实现了功率密度与散热能力的完美平衡，让您的产品在性能与体积之间不再需要艰难取舍。

选择STB60NF06LT4，就是选择了一份安心与超越。极低的栅极电荷（仅66nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统整体效率。其优异的导通电阻特性，即使在高温下也能保持稳定表现，显著减少了导通损耗和发热量。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，可靠性大幅提升。我们信赖的ST代理伙伴能为您提供全面的技术支持与供应保障，确保您从设计到量产的每一步都顺畅无阻。当您需要一颗能扛起大电流、高可靠性的功率开关时，STB60NF06LT4无疑是让您的设计脱颖而出的智慧之选。

• 型号:STB60NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NF06LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。