STB60NH02LT4

在追求极致效率的电源管理和电机驱动设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB60NH02LT4。这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其24V的耐压和高达60A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的手持式电动工具需要瞬间爆发巨大扭矩时，在您的服务器电源需要为CPU提供纯净而强劲的电流时，或者在您的汽车辅助系统（如燃油泵、风扇控制）需要无故障稳定运行时，STB60NH02LT4正是幕后英雄。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合空间受限但散热要求高的应用。得益于其低至10.5毫欧的导通电阻（Rds(on)），在30A电流下，导通损耗被降至极低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的整体系统效率，以及更长的电池续航或更小的散热器需求。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，开关速度快，有助于降低开关损耗，进一步提升频率和效率。

选择STB60NH02LT4，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越性能的传承。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典和特定升级项目中的理想选择。它代表了ST意法半导体在功率MOSFET技术上的深厚积累。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST代理进行咨询与采购，是确保您获得正品货源和后续服务保障的明智之举。让这颗强大的“能量开关”融入您的设计，它将用高效、可靠的表现为您的产品注入强劲动力，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STB60NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60NH02LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。