STB70N10F4

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载65A电流的功率开关，同时将导通电阻降至惊人的19.5毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越之作STB70N10F4，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，专为高要求的中高功率应用场景量身打造。无论是服务器电源中需要高效稳定的DC-DC转换，还是工业电机驱动中要求快速响应和可靠性的开关控制，甚至是不断进化的新能源车车载充电机(OBC)和不断电系统(UPS)，STB70N10F4都能游刃有余。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，确保在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作，更能帮助您的设计轻松应对150W的功率耗散挑战，让系统运行更凉爽、更持久。

选择STB70N10F4，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其极低的栅极电荷（典型值85nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力提升整体系统频率和功率密度。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或寻找高性能直接替代方案的理想选择。对于需要可靠货源和技术支持的工程师，通过专业的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品保障和后续服务的最佳途径。让STB70N10F4成为您下一个成功设计的强大心脏，释放每一瓦特的潜能。

• 型号:STB70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB70N10F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。