STB70NF3LLT4

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾因开关损耗过高而困扰，或因散热问题限制了整体性能的发挥？今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STB70NF3LLT4。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的9.5毫欧（@35A, 10V），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为系统效率的显著提升和更长的运行寿命。

无论是服务器电源、高密度DC-DC转换器，还是电动工具、电机驱动等需要强劲电流处理能力的应用场景，STB70NF3LLT4都能游刃有余。其高达70A的连续漏极电流和30V的漏源电压，为您的设计提供了坚实的功率基础。而仅33nC的低栅极电荷（Qg）与优化的开关特性相结合，确保了高速开关下的低损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的能效和更快的响应速度脱颖而出。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您能获得原装正品和全面的技术支持。

选择STB70NF3LLT4，就是选择了一份可靠与高效。它采用坚固的D2PAK封装，具备出色的散热能力，支持高达175°C的结温工作，即使在严苛的环境下也能稳定运行。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的市场存量，使其成为许多经典或特定批次产品升级、维护的绝佳选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品功率密度、优化热管理和实现成本效益平衡的战略伙伴。

• 型号:STB70NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB70NF3LLT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。