STB75NF20

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一款能够同时驾驭200V高压与75A大电流，却将导通损耗降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们为您带来的STB75NF20，正是这样一款源自ST意法半导体尖端STripFET技术的杰作，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体竞争力的强大引擎。

这颗芯片的强大之处，在于其卓越的电气性能与坚固的物理特性完美结合。高达200V的漏源电压和75A的连续漏极电流，赋予了它从容应对严苛工况的底气。而其核心亮点低至34毫欧的导通电阻，意味着在相同的电流下，它能将更多的电能高效地传递给负载，而非转化为令人头疼的热量。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更小的散热需求和更紧凑的产品设计，让您的设备在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是工业电机驱动中需要瞬间爆发巨大扭矩，还是服务器电源需要在满负荷下持续稳定运行，STB75NF20都能以其强悍的功率处理能力和极低的导通压降，确保动力澎湃而稳定。

它的应用舞台极为广阔。在新能源领域，它是光伏逆变器、车载充电机（OBC）中实现高效DC-AC或DC-DC转换的关键开关；在工业自动化中，它驱动着伺服电机、变频器，以精准的控制和快速的响应提升生产效率；即便在常见的消费类开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）中，它也能显著提升功率密度和可靠性。选择STB75NF20，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其表面贴装的D2PAK封装不仅便于自动化生产，更能实现出色的热管理，确保芯片在-50°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，我们的ST中国代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位协助。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率MOSFET，成为您下一代产品设计中不可或缺的“能量心脏”，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STB75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。