STB80NF55-06T4

当您的电源转换系统面临效率瓶颈，或电机驱动项目因开关损耗而发热严重时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与高可靠性的解决方案？答案或许就藏在STB80NF55-06T4这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。源自意法半导体备受赞誉的STripFET II技术，这颗N沟道MOSFET以其卓越的电气特性，为您打开了通往更高功率密度和更低系统成本的大门。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关动作都意味着能量的转换与损耗。STB80NF55-06T4的过人之处在于其极低的导通电阻在10V驱动下，仅6.5毫欧的Rds(on)值，配合高达80A的连续漏极电流能力，意味着在承载大电流时，其自身的导通损耗被降至极低水平。这直接转化为更低的温升、更高的系统效率，以及更小的散热器需求。无论是驱动一台强劲的电动工具电机，还是在数据中心不间断电源（UPS）中处理瞬态大电流，它都能游刃有余，确保系统稳定、冷静地运行。

选择STB80NF55-06T4，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其55V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了产品出色的鲁棒性和环境适应性。D2PAK封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达300W），其表面贴装形式也完全契合现代自动化生产的需求，助力您快速实现规模化制造。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获得原装正品保障和具有竞争力的价格，还能得到从选型支持到供应链管理的全方位服务，让您的创新之路毫无后顾之忧。让STB80NF55-06T4成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的能量控制新篇章。

• 型号:STB80NF55-06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-06T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。