STB80NF55-08AG

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关而反复权衡？答案就在这里。今天，我们向您隆重介绍一款专为严苛应用而生的功率器件STB80NF55-08AG。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET技术精华的凝聚，旨在为您的系统注入澎湃动力与坚如磐石的稳定性。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元中，电流如江河奔涌；在工业伺服系统的瞬间启停间，功率需求瞬息万变；或是在高密度服务器电源模块内，散热空间极其有限。STB80NF55-08AG正是为应对这些挑战而设计。其高达80A的连续漏极电流承载能力和仅8毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率输出下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热损耗。这不仅直接提升了系统整体效率，更让散热设计变得更为从容，有效延长了设备的使用寿命并降低了运行噪音。

选择STB80NF55-08AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于意法半导体的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，历经了远超工业标准的严苛测试，确保在-55°C至175°C的极端结温范围内性能始终如一。这种与生俱来的高可靠性，让它不仅能轻松驾驭工业自动化、通信电源等传统领域，更是新能源汽车、车载充电器等前沿应用的理想心脏。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您获得的每一颗芯片都源自正规渠道，品质纯正，供货稳定，为您产品的量产与长期市场成功保驾护航。

归根结底，在功率电子领域，细节决定成败。STB80NF55-08AG以其卓越的电气性能、卓越的可靠性和DPAK封装带来的优异散热能力，为您提供了一个简化设计、提升性能、降低总成本的绝佳解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电力系统的强大基石。立即体验，让它为您的创意注入无限可能！

• 型号:STB80NF55-08AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-08AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。