STB9NK50ZT4

您是否正在为电源转换系统寻找一颗能在高压环境下稳定运行、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STB9NK50ZT4。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、耐用电力系统的坚实基石。凭借其卓越的SuperMESH技术，这颗芯片在500V的高压下依然能保持极低的导通损耗，将更多电能精准地输送到负载端，而非浪费在发热上，直接为您的产品带来能效等级的提升和运行成本的下降。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STB9NK50ZT4正扮演着核心开关的角色。它高达7.2A的连续电流处理能力和110W的功率耗散，让它足以应对工业电源、服务器电源乃至高端适配器中的严苛工况。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，意味着它开关迅速、驱动简单，能轻松融入您的高频设计，帮助系统实现更小的体积和更快的动态响应。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，其宽广的工作温度范围都确保了系统在各种环境下稳定如一。

选择STB9NK50ZT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它采用坚固的D2PAK封装，具备优异的散热能力和机械强度，非常适合自动化表面贴装生产，能有效提升您的制造良率。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于大量现有成熟产品的升级、维护和持续生产而言，它依然是经过市场长期验证的可靠之选。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的ST芯片代理服务将为您提供从技术选型到供应链支持的全方位保障，让您无后顾之忧地专注于产品创新与市场开拓。

• 型号:STB9NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK50ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。