STB9NK70ZT4

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当传统MOSFET在700V高压下显得力不从心时，STB9NK70ZT4的出现，正是为了打破这一僵局。它不仅仅是一个组件，更是意法半导体SuperMESH技术皇冠上的一颗明珠，将卓越的导通特性与强悍的耐压能力融为一体，为您的产品注入持久稳定的核心动力。

想象一下，在LED照明驱动、工业开关电源、家用电器功率转换这些关键应用中，每一次开关都关乎整体系统的效率与寿命。STB9NK70ZT4凭借其700V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流，轻松应对严苛的高压环境，确保能量转换过程流畅而高效。其极低的导通电阻（典型值仅1.2欧姆@4A,10V）意味着更少的能量以热量的形式耗散，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度，让您的设备在长时间工作中依然保持冷静与可靠。

选择STB9NK70ZT4，就是选择了一份经过市场验证的安心。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对可靠性有极致要求场景下的经典之选。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，适合表面贴装自动化生产，能有效简化您的生产工艺。当您需要稳定可靠的供应链支持时，专业的ST芯片代理伙伴将是您获取这颗经典器件、完成产品生命周期管理的坚实后盾。它代表的是一种价值主张：用经过时间淬炼的技术，为您的关键设计提供一份不容置疑的保障。

• 型号:STB9NK70ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK70ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。