STC5DNF30V

当您的设计需要在有限空间内实现高效功率切换时，是否曾为寻找一颗既能精确控制又能承载足够电流的“小身材大能量”芯片而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STC5DNF30V，这颗来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET阵列，正是为突破空间与性能的极限而生。它集成了STripFET技术的精髓，将卓越的导通性能封装进仅有4.4毫米宽的8-TSSOP超薄外形中，让您的产品在性能与紧凑度上双双赢得先机。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或高密度服务器主板中，STC5DNF30V正悄然发挥着核心作用。其30V的漏源电压和4.5A的连续漏极电流能力，足以轻松驾驭电池管理、电机驱动、负载开关等关键任务。更令人心动的是其逻辑电平门控特性，意味着它可以直接与微控制器等低压逻辑电路无缝对接，无需复杂的电平转换电路，极大地简化了您的系统设计。无论是需要快速响应的电源路径管理，还是对效率有严苛要求的DC-DC转换器同步整流，它都能以极低的导通损耗（仅35毫欧）和快速的开关速度，确保每一分电能都被高效利用，为终端产品带来更长的续航和更稳定的表现。

选择STC5DNF30V，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET。您选择的是ST意法半导体深厚的工业级品质背书，其宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在极端环境下依然稳定可靠。虽然该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取经过严格质量把控的库存，为现有产品的持续生产或经典设计的维护提供坚实保障。这颗芯片的价值，在于它用极致的集成度和可靠性，帮助您压缩BOM成本、减少PCB占用、加速产品上市周期，最终让您的产品在市场竞争中凭借出色的能效和紧凑设计脱颖而出。立即行动，让它成为您下一个成功设计的强大心脏！

• 型号:STC5DNF30V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• STC5DNF30V的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。