STD100N03LT4

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率密度和热损耗而妥协？想象一下，一款能在30V电压下承载高达80A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的5.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到负载端。这正是STD100N03LT4带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，专为应对严苛的功率转换挑战而生。

无论是服务器电源中需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中负责大电流通断的负载开关，甚至是汽车辅助系统中的电机驱动，STD100N03LT4都能游刃有余。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在复杂多变的环境下依然稳定可靠。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。

选择STD100N03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，为现有产品线的维护和升级提供坚实保障。在功率电子领域，每一个细节都关乎成败，让这颗凝聚了尖端技术的芯片，成为您打造高效、紧凑、可靠产品的秘密武器。

• 型号:STD100N03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N03LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。