STD100N10F7

当您的电源转换系统面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率器件竟能成为破局的关键？今天，我们为您带来的STD100N10F7，正是这样一款能够重新定义性能边界的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的可靠伙伴。基于ST意法半导体先进的STripFET VII技术与DeepGATE工艺，这颗芯片在100V的电压平台上，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的8毫欧，同时承载高达80A的连续电流。这意味着更低的传导损耗、更少的热量产生，以及最终为您带来的显著系统效率提升和更长的运行寿命。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高性能DC-DC转换器或新能源车载充电机（OBC）中，STD100N10F7能够如何大显身手。它卓越的开关性能和低栅极电荷（Qg仅61nC），让高频开关应用变得游刃有余，系统响应更快，动态性能更优。其坚固的DPAK封装和高达175°C的结温工作能力，确保了即使在恶劣的工业环境或高温工况下，也能稳定可靠地运行，大幅降低了您的系统散热设计和维护成本。选择它，就是为您的核心功率链路注入了强劲而稳定的心脏。

为何众多领先的设计师纷纷将目光投向STD100N10F7？答案在于其无与伦比的综合价值。它完美平衡了性能、可靠性与成本，让您在追求极致效率的同时，无需为过高的预算或复杂的驱动设计而妥协。10V的标准驱动电压使其易于集成和控制。更重要的是，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受到及时的技术支持、充足的库存供应以及灵活的供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。选择STD100N10F7，不仅是选择了一颗顶级芯片，更是选择了一个全方位支持您成功的生态系统。

• 型号:STD100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。