STD100N10LF7AG

当您的下一个汽车电子或工业电源项目需要兼顾高性能与高可靠性时，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STD100N10LF7AG。这颗基于先进STripFET F7技术打造的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和汽车级（AEC-Q101）品质，正成为工程师们应对高功率密度挑战的得力助手。

想象一下，在电动汽车的电机驱动模块中，或者在工业伺服系统的电源转换单元里，电流的每一次高效、精准的切换都至关重要。STD100N10LF7AG正是为此而生。它拥有高达100V的漏源电压和80A的连续漏极电流承载能力，这意味着它能轻松驾驭大部分中高功率应用场景。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）低至惊人的9毫欧（@40A）。这个数值直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更高效，从而显著提升整体能效和可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了无论面对极寒还是酷热的环境挑战，它都能稳定如一，这正是汽车电子和户外工业设备所梦寐以求的特性。

选择STD100N10LF7AG，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的解决方案。其DPAK封装形式兼顾了功率处理能力和空间利用率，非常适合自动化表面贴装生产，能帮助您优化PCB布局并降低组装成本。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，为现有产品线的维护或特定长生命周期项目提供关键组件支持。这颗芯片所代表的，是意法半导体对功率半导体技术的深刻理解，是将高性能、高可靠性和易于使用完美结合的典范。让它成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STD100N10LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N10LF7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。