STD105N10F7AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否正在寻找一款既能承载大功率，又能保持冷静高效表现的功率开关？STD105N10F7AG的到来，正是为了回应这一挑战。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体STripFET F7系列中的明星产品，专为严苛的汽车级应用而生，通过了AEC-Q101认证，将可靠性、效率和功率密度提升到了全新境界。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，或者在工业电源和服务器电源的DC-DC转换环节，每一次开关动作都关乎系统的整体效率和稳定性。STD105N10F7AG凭借其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，为处理大功率任务提供了坚实的基础。而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、40A电流下，Rds(On)最大值仅为8毫欧。这意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效传递，而不是转化为令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更高的系统效率、更小的散热器需求，以及更紧凑、更轻量化的终端产品设计。

无论是面对新能源汽车中快速变化的负载，还是数据中心电源里要求严苛的能效标准，这颗芯片都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg最大值61nC @10V）与输入电容特性，确保了快速、干净的开关切换，减少了开关损耗，让高频高效运行成为可能。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）赋予了它无与伦比的环境适应性，从冰天雪地到引擎舱内的高温，性能始终稳定如一。选择STD105N10F7AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它集高电流能力、超低导通电阻、快速开关特性和汽车级可靠性于一身，是您攻克下一代高效、高功率密度电源设计难题的得力伙伴。如需获取技术支持和现货供应，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意从蓝图变为现实。

• 型号:STD105N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD105N10F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。