STD10LN80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD10LN80K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其800V的卓越耐压和仅为630毫欧的超低导通电阻，重新定义了高性能功率开关的标准。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着在严苛应用环境中无与伦比的可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是电动汽车充电桩的核心电路中，STD10LN80K5正以其强大的性能稳定运行。它高达8A的连续漏极电流和110W的功率耗散能力，足以应对瞬间大电流冲击和持续高负载工作，确保系统心脏强劲而持久地跳动。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰，使得整个电源系统的设计可以更加精简，散热压力大幅减轻，最终帮助您打造出体积更小、效率更高、运行更安静的新一代产品。

选择STD10LN80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与前沿技术。MDmesh K5超结技术是其强大性能的基石，在相同的芯片面积下实现了更优的Rds(on)与Qg平衡。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的DPAK封装，赋予了它适应从寒带到热带、从工厂车间到户外设备的强大环境适应力。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴权威的ST代理商将为您提供从选型到量产的一站式服务。立即采用STD10LN80K5，让它成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的最强助力，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STD10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。