STD10NM50N

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统发热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STD10NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其500V的耐压能力和7A的连续漏极电流，为您的设计注入了前所未有的强劲动力。它不仅仅是又一个MOSFET，更是基于先进MDmesh II技术打造的效率标杆，旨在帮助您轻松突破性能瓶颈，将系统整体效率提升到一个全新的高度。

想象一下，在紧凑的开关电源内部，无论是反激式拓扑还是功率因数校正（PFC）电路，STD10NM50N都能凭借其优异的动态特性稳定运行。其低至630毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗。这意味着您的电源产品不仅能以更高的频率工作，实现更小的磁性元件尺寸，还能在整个负载范围内保持“冷静”，将更多的电能高效地输送给负载，而不是浪费在发热上。对于照明驱动、适配器、工业电机控制等应用而言，这正是实现高可靠性、长寿命和绿色节能目标的关键所在。

选择STD10NM50N，就是选择了一份经得起考验的品质承诺。ST意法半导体的MDmesh II技术已经过全球无数成功案例的验证，确保了器件在高压、高温等严苛条件下的卓越表现。其DPAK封装不仅提供了出色的功率耗散能力（高达70W），也兼顾了自动化生产的便利性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其依然是许多经典和延续性项目的可靠之选。如果您正在寻找值得信赖的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您获取正品货源和完整技术支持的坚实后盾。让这颗凝聚了尖端技术的功率开关，成为您下一款明星产品中那颗最强劲、最可靠的心脏。

• 型号:STD10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。