STD11N50M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗性能卓越的功率MOSFET，不仅能显著提升系统效率，更能让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。现在，答案就在STD11N50M2。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II Plus技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就是为高效而生。它拥有高达500V的漏源击穿电压和8A的连续漏极电流能力，这意味着它能在高压大电流的应用场景中游刃有余。更令人心动的是其极低的导通电阻，在10V驱动电压下，典型值远低于530毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是面对反激式开关电源、功率因数校正电路，还是电机驱动、照明镇流器，STD11N50M2都能以其坚实的性能，成为您电路核心开关位置的可靠基石，让能量转换过程更加顺畅、洁净。

选择STD11N50M2，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间利用率，非常适合现代电子设备对高功率密度和表面贴装工艺的严苛要求。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定升级、备货或长期维护项目中依然具有极高的价值。为了确保您能获得正品货源和可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，他们能为您提供准确的库存信息、替代方案建议以及专业的供应链服务，保障您的项目顺利推进，无后顾之忧。

• 型号:STD11N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N50M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。