STD12N50M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源世界里，您是否正为如何平衡性能、成本与可靠性而烦恼？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍STD12N50M2，这颗源自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，正是为破解您的设计难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，一颗芯片需要承受高达500V的电压，并稳定输送10A的连续电流，同时还要将导通损耗降至最低。STD12N50M2凭借其仅为380毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在5A电流、10V驱动下轻松实现，这意味着更少的热量产生和更高的整体效率。其先进的MDmesh M2技术，专为优化开关性能而设计，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关动作，让您的系统在高频下也能游刃有余，显著降低开关损耗，为能效提升打开新的空间。

无论是工业电源、LED照明驱动，还是家用电器中的辅助电源，STD12N50M2都能完美融入。其DPAK封装提供了出色的功率处理能力（最大85W）和便利的表面贴装工艺，同时宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种苛刻环境下都能稳定运行，大大增强了终端产品的耐用性和市场适应性。选择它，就是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺和经过市场验证的可靠性。如果您正在寻找稳定可靠的供货和技术支持，我们的合作伙伴，专业的ST中国代理，将为您提供从样品到量产的全方位服务。无需在性能与成本之间艰难取舍，STD12N50M2以卓越的价值主张，助您轻松打造出更高效、更紧凑、更具市场竞争力的下一代电源解决方案。

• 型号:STD12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N50M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。