STD12NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在寻求更可靠的功率开关解决方案时，是否曾思考过，一颗小小的MOSFET能带来多大的改变？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STD12NM50N。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的高耐压和11A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。即便在部分产品线迭代的背景下，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其在特定领域和存量市场中闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在开关电源的初级侧，STD12NM50N正以其低至380毫欧的导通电阻，最大限度地减少导通损耗，将更多电能高效地传递到负载端。其优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了整体频率响应，更直接降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。无论是面对反激式、正激式拓扑，还是在功率因数校正（PFC）电路中，它都能游刃有余，帮助您的设备在满负荷运行时依然保持“冷静”，将功率耗散控制在理想范围内。这份从容，源于其坚固的DPAK封装和高达150°C的结温工作能力，为系统在恶劣环境下的长期稳定运行奠定了坚实基础。

选择STD12NM50N，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一套经过时间淬炼的可靠性方案。它代表了ST在高压MOSFET领域深厚的技术积淀，MDmesh II技术带来的低Rds(on)与低Qg的完美平衡，让您在提升效率与简化驱动设计之间无需再妥协。对于许多成熟且对长期供货稳定性有要求的工业电源、照明驱动、电机控制等应用而言，这颗芯片的价值依然显著。更重要的是，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，您不仅能确保获得原装正品，还能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的产品从设计到量产都后顾无忧。让STD12NM50N成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的可靠伙伴。

• 型号:STD12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。