STD130N4F6AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当每一瓦的功耗都关乎产品的续航与性能，选择一颗真正高效的功率MOSFET，就是为您的设计注入强劲心脏。今天，我们向您隆重介绍意法半导体专为严苛应用打造的明星产品STD130N4F6AG。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在电动汽车的DC-DC转换器中，或者在工业伺服驱动的核心电路里，电流需要被快速、精准地控制。STD130N4F6AG凭借其N沟道设计和先进的STripFET F6技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的3.6毫欧（@40A, 10V）。这意味着在高达80A的连续电流下，它的导通损耗被压至极低水平，更多的电能被有效传递，而非转化为无谓的热量。其高达143W的功率耗散能力，结合宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了即使在最恶劣的环境下，它也能稳定运行，让您的产品从容应对挑战。

这颗芯片的价值，在汽车电子、工业电源、电机驱动等广阔天地中得以充分释放。无论是为48V轻度混合动力系统管理能量，还是驱动大功率的BLDC电机，STD130N4F6AG都能提供强劲、可靠的开关性能。其极低的栅极电荷（Qg）和优化的动态特性，显著降低了开关损耗，让您的系统开关频率可以更高，从而使用更小的磁性元件，实现整体方案的小型化和轻量化。选择它，就是选择了一种更紧凑、更高效、更可靠的设计哲学。

那么，在众多功率器件中，为何STD130N4F6AG能脱颖而出？答案在于它卓越的“性能密度”比。在标准的DPAK封装内，它集成了顶级的电流处理能力和超低的导通电阻，为您节省宝贵的PCB空间。其符合汽车级AEC-Q101标准的质量认证，更是为您的产品提供了从实验室走向市场的“通行证”，尤其适合对可靠性和寿命有极高要求的应用。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾。选择STD130N4F6AG，不仅是选择了一个组件，更是选择了一个能助您加速产品上市、赢得市场先机的强大引擎。

• 型号:STD130N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:143W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD130N4F6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。