STD13NM60N

当您设计的电源系统需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率和空间时，您是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STD13NM60N。这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个电子元件，它是您提升产品竞争力的秘密武器，凭借其600V的卓越耐压能力和高达11A的连续漏极电流，它能轻松应对严苛的工业环境，将系统的可靠性提升到一个全新高度。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，这颗芯片正以其极低的导通电阻（仅360毫欧）和出色的开关特性，默默地为系统降低损耗、提升效率。它让能量转换过程更加平滑，热量产生更少，这意味着您的设备可以运行得更安静、更持久，同时为您的终端用户节省可观的电费。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业照明中的LED驱动，STD13NM60N都能凭借其强大的性能，成为您设计中的核心动力源泉。

为什么众多工程师在众多选择中独爱它？因为它带来的价值远超其本身。MDmesh II专利技术确保了其在高压下依然拥有超低的栅极电荷（仅30nC）和输入电容，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷。其表面贴装（DPAK）的紧凑封装，完美适配现代高密度PCB设计，为您节省宝贵的板级空间。更重要的是，选择它意味着选择了来自意法半导体的品质保证和全球供应链支持。当您需要稳定可靠的供货和专业的技术服务时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您提供支持，确保您的项目从研发到量产一路畅通。选择STD13NM60N，就是选择了一份安心、一份高效，以及一个让您的产品在市场中脱颖而出的坚实后盾。

• 型号:STD13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。