STD14NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的性能与散热平衡而烦恼？现在，一个成熟的解决方案正静待您的发掘。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh II系列中的经典之作STD14NM50N。这颗N沟道功率MOSFET，以其卓越的500V耐压和12A的连续电流能力，早已在众多严苛应用中证明了其非凡的稳定性和可靠性。即便在部分产品线迭代的背景下，它依然是许多经典设计和新项目开发中备受信赖的选择，其出色的性能参数为高效能量转换奠定了坚实基础。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器等应用场景中，系统需要在高压下快速、高效地切换大电流。STD14NM50N正是为此而生。它采用先进的MDmesh II技术，在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间取得了精妙的平衡。这意味着在开关过程中，它不仅导通损耗低，而且开关速度快、驱动简单，能显著降低系统的整体功耗和温升，让您的终端产品运行更凉爽、更持久。其高达150°C的结温工作能力，更是为系统在恶劣环境下的稳定运行提供了额外保障。

选择STD14NM50N，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。其DPAK封装形式兼顾了功率处理能力和空间利用率，非常适合表面贴装生产，能帮助您优化PCB布局，实现更紧凑的产品设计。对于正在维护既有产品线或开发对成本与性能有特定平衡要求项目的工程师而言，这颗芯片的价值不言而喻。如果您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理，将为您提供从选型到供应的全方位服务，确保您能高效、无忧地将这颗经典器件的优势转化为您产品的市场竞争力。

• 型号:STD14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD14NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。