STD15N60DM6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能。STD15N60DM6正是为此而生，它不仅仅是意法半导体MDmesh系列中的一员悍将，更是您实现高效能量转换、提升系统可靠性的秘密武器。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化、高功率密度的电动车充电桩和太阳能逆变器，这款芯片都能游刃有余。其高达12A的连续漏极电流和110W的强大功率处理能力，意味着它能在严苛的工况下持续输出澎湃动力，而卓越的开关特性则能显著降低开关损耗，让您的整机效率轻松迈上新台阶。选择它，就是为您的核心动力单元注入一颗强劲而稳定的“心脏”。

为什么众多工程师在高压开关应用中对它青睐有加？答案在于其背后精妙的平衡艺术。它成功地在高耐压（600V）、低导通电阻（338毫欧）和快速的开关性能之间找到了黄金平衡点。更低的导通电阻意味着更小的传导损耗和发热，而优化的栅极电荷（仅15.3nC）则确保了快速的开关响应，从而降低开关损耗。这种全方位的性能提升，直接转化为更低的运营成本、更长的产品寿命和更小的散热系统需求。当您需要可靠的原厂品质和技术支持时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队，获取专业的产品选型与供应服务。让STD15N60DM6成为您下一个成功项目的坚实基石，共同开启高效、可靠的能源新时代。

• 型号:STD15N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:338 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:607 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD15N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。