STD16NF25

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭250V高压与14A大电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的235毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。现在，STD16NF25的到来，将这种想象变为触手可及的现实。

这颗源自意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，天生就是为高效能量转换而设计的核心引擎。无论是服务器电源中需要稳定可靠的高压侧开关，还是工业电机驱动里要求快速响应的控制单元，甚至是不断追求轻量化、高功率密度的车载充电器，它都能游刃有余。其卓越的电气特性，意味着在相同的功率输出下，产生的热量更少，系统的整体体积可以进一步缩小，可靠性却得到显著增强，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STD16NF25，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个组件，更是一个经过市场验证的性能解决方案。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）大幅降低了驱动损耗，让开关频率可以更高，磁性元件体积得以减小，从而优化整体BOM成本。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的DPAK封装，确保了在最严苛的环境下依然稳定工作。当您需要可靠的技术支持和顺畅的供应链时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到完美释放。

• 型号:STD16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD16NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。