STD17NF03LT4

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一个高效的解决方案已经到来STD17NF03LT4，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生。它采用先进的STripFET II技术，将卓越的导通性能与出色的开关特性融为一体，为您带来前所未有的功率转换体验。想象一下，在紧凑的空间内实现高达17A的连续电流处理能力，同时将导通电阻控制在极低的50毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效利用，直接为您的产品带来更长的运行时间和更低的温升。

无论是需要精密控制的电机驱动，还是对效率极为敏感的DC-DC转换器，亦或是空间受限的便携式设备电源管理，STD17NF03LT4都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境的强大韧性。在电动工具启停的瞬间，在车载充电器高效运作时，在LED驱动稳定发光的背后，这颗芯片都在默默提供着可靠、高效的功率开关支持，让您的终端产品性能更稳定，竞争力更强劲。

选择STD17NF03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数优秀的元器件，更是您提升产品能效、优化系统设计、加速项目上市的有力伙伴。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步降低了动态损耗。而标准的DPAK表面贴装封装，则让它在自动化生产中如鱼得水，有效提升您的制造效率。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，请务必联系官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全程专业服务。立即将STD17NF03LT4纳入您的设计，开启高效、可靠、节能的新篇章！

• 型号:STD17NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD17NF03LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。