STD17NF25

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着可观的成本节约和竞争力增强时，选择一颗性能卓越的MOSFET便成为设计成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的明星产品STD17NF25，它正是为破解这些难题而生，将为您的高压应用注入强劲而高效的动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，电流需要被快速、精准地控制。STD17NF25凭借其N沟道设计和250V的漏源电压耐受能力，轻松应对这些高压环境。其核心魅力在于STripFET II技术，这项专利工艺将导通电阻（RdsOn）显著降低至仅165毫欧（在10V驱动下），这意味着在相同的电流通过时，芯片自身的功耗和发热被大幅抑制。更低的损耗直接转化为更高的系统整体效率，以及更简洁的散热设计，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，运行更凉爽、更持久。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它高达17A的连续漏极电流承载能力和90W的功率耗散，赋予了系统强大的输出潜能和鲁棒性。无论是应对电机启动时的瞬间冲击电流，还是保证电源在满负荷下的稳定输出，STD17NF25都能稳如磐石。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速开关，减少开关过渡期的能量浪费，这对于高频开关电源提升频率、缩小磁性元件体积至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种严苛的工业与汽车环境中都能可靠工作。

为何众多工程师在高压功率开关设计中青睐STD17NF25？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的完美平衡。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的战略伙伴。选择它，就是选择了源自ST意法半导体的顶尖品质与技术创新。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品，更能提供专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之路畅通无阻。立即体验STD17NF25带来的变革，开启高效、可靠的电能掌控新时代。

• 型号:STD17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD17NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。