STD180N4F6

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够显著降低导通电阻，让能量传输更顺畅、系统运行更清凉的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STD180N4F6，它正是为解决这些核心挑战而生。

这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，在40V的电压平台上，能够持续承载高达80A的强劲电流。其最引人注目的亮点在于极低的导通电阻在10V驱动电压、40A电流条件下，最大值仅为2.8毫欧。这意味着在相同的负载下，STD180N4F6产生的热量将大幅减少，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要爆发性扭矩的电机驱动，亦或是新能源车车载充电机(OBC)中的高效能量转换，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

选择STD180N4F6，就是选择了一份可靠与高效并存的保障。其紧凑的DPAK表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它无惧严苛环境挑战，从工业自动化到消费电子，适应性极强。虽然该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定。让STD180N4F6成为您下一个爆款产品的“能量心脏”，释放无限潜能，赢得市场竞争先机。

• 型号:STD180N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD180N4F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。