STD18N60M6

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和系统可靠性而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与13A电流的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，答案就在眼前来自ST意法半导体MDmesh M6系列的STD18N60M6，正是为突破效率瓶颈而生的高性能N沟道MOSFET。

它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效的秘密武器。凭借其仅为280毫欧的超低导通电阻（RDS(on)），在6.5A电流下就能显著降低传导损耗，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到负载端。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STD18N60M6都能游刃有余地应对严苛的高压大电流环境，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，让您的设计无惧挑战。

选择STD18N60M6，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，从而进一步降低了开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。表面贴装DPAK封装不仅节省了宝贵的电路板空间，还提升了生产制造的便利性。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的ST一级代理合作，确保您能获得正品货源与专业的技术支持，让创新之路更加顺畅。让STD18N60M6成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STD18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。