STD18N65M5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，一颗集高性能与卓越价值于一身的功率MOSFETSTD18N65M5，将为您带来颠覆性的解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh V系列，这颗芯片天生就拥有卓越的基因。其650V的高耐压能力，为您的设计提供了坚固的安全边际，从容应对电网波动和复杂的工况挑战。而仅220毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在电流通过时产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的转换效率和更低的能源浪费。当您将它与普通MOSFET对比时，会发现它在满载运行下的温升显著降低，系统稳定性与寿命因此得到质的飞跃。这正是我们信赖的ST一级代理所推荐的高性价比之选。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能LED照明驱动器中，STD18N65M5正发挥着核心作用。在PFC（功率因数校正）电路中，它凭借快速的开关特性和低栅极电荷，轻松实现高频高效运行，帮助整机轻松满足严苛的能效标准。在硬开关或谐振拓扑中，其优化的体二极管特性和出色的dv/dt耐受性，确保了系统在频繁开关下的稳定与安静，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的持久信赖。

选择STD18N65M5，就是选择了一份安心与远见。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。高达150°C的结温工作能力和110W的强大功率耗散，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在最严苛的环境下也能持续稳定输出。从原型设计到批量生产，这颗芯片都能提供一致的卓越性能，让您的研发投入获得最大回报。它不仅仅是一个组件，更是您通往更高效、更可靠、更具成本优势的下一代电源产品的通行证。

• 型号:STD18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。