STD18NF25

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时兼顾高耐压、大电流和超低导通电阻的功率开关解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。STD18NF25正是为此而生，它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体STripFET II技术的杰出代表，专为应对严苛挑战而设计。

这颗芯片的强大心脏，在于其250V的漏源电压和高达17A的连续漏极电流承载能力。这意味着在工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或高效率开关电源（SMPS）中，它能游刃有余地处理高功率负载，确保系统稳定可靠。更令人印象深刻的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下低至165毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的设备在高效运行的同时，保持“冷静”的头脑。无论是面对汽车电子中引擎控制单元的瞬态冲击，还是服务器电源里7x24小时不间断的考验，它都能展现出卓越的耐久性。

选择STD18NF25，就是选择了一份安心的保障。它隶属于意法半导体的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，经过了远超工业标准的严格测试，确保在-55°C至175°C的极端结温范围内性能如一。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更快、更干净，显著降低了驱动电路的负担和开关损耗，从而提升整体系统能效。当您需要可靠的原装正品和专业的技术支持时，可以信赖我们的合作伙伴专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD18NF25成为您下一个成功产品的强大引擎，开启高效、可靠、紧凑的电源设计新篇章。

• 型号:STD18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。