STD19N3LLH6AG

在追求极致效率的汽车电子与工业控制领域，您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定可靠、同时兼顾高性能与成本效益的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STD19N3LLH6AG，正是意法半导体STripFET技术家族中一颗久经考验的明星。虽然它已进入停产生命周期，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其在特定应用和库存支持场景下，依然是许多资深工程师心中难以替代的经典选择。它不仅仅是一个元器件，更是您构建高效、坚固系统的一块基石。

想象一下，在汽车的引擎管理模块中，需要快速精准地控制燃油喷射或点火线圈；在紧凑的DC-DC转换器里，要求高效率的同步整流以降低能耗；或者在工业自动化设备的电机驱动电路中，需要承受频繁的开关动作与电流冲击。STD19N3LLH6AG正是为这些关键任务而生的。其30V的漏源电压和高达10A的连续漏极电流能力，配合低至33毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。其符合AEC-Q101汽车级标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保了从冰天雪地到炎热引擎舱内都能稳定工作，这种与生俱来的坚固性，让您的设计无惧环境挑战。

选择STD19N3LLH6AG，就是选择了一份经过时间沉淀的信任。其DPAK封装成熟可靠，便于焊接和散热管理。4.5V的低驱动电压门槛使其能与多种逻辑电平轻松接口，简化驱动电路设计。对于正在进行产品维护、升级或需要经典方案延续性的项目而言，这颗芯片的价值尤为突出。我们作为专业的ST芯片代理，不仅理解这颗器件的技术内涵，更致力于为您提供可靠的供应链支持与专业的技术选型建议，帮助您盘活库存或为经典设计找到最匹配的“心脏”。让STripFET的卓越性能，继续在您的产品中焕发活力，驱动更高效、更可靠的未来。

• 型号:STD19N3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:321 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD19N3LLH6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。