STD1NK80ZT4

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，让我们向您隆重介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STD1NK80ZT4。这款来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和优化的动态特性，为您的高压应用注入前所未有的活力与信心。它不仅仅是一个开关，更是您系统迈向高效、紧凑与长寿的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）辅助电源、LED照明驱动或是工业控制电路中，STD1NK80ZT4正以其高达1A的连续漏极电流和仅为16欧姆的低导通电阻，默默高效地工作着。它能够轻松应对反激式拓扑中的高压侧开关任务，确保能量转换过程损耗更低、发热更少。其出色的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计在追求高频化的道路上畅通无阻，最终实现系统整体效率的显著提升和体积的进一步缩小。

为何众多工程师在面临高压、小电流的严苛选型时，会毫不犹豫地选择它？答案在于其背后强大的SuperMESH技术。这项技术专为优化高压MOSFET的性能而诞生，在STD1NK80ZT4上得到了完美体现，使其在保持高击穿电压的同时，拥有业界领先的导通电阻与栅极电荷乘积（RDS(on) * Qg），这是衡量高压MOSFET开关品质的关键指标。更宽的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和可靠性，确保您的产品即使在最恶劣的条件下也能稳定运行。选择它，就是选择了一份由尖端技术和卓越工艺背书的长期性能保障。

为了让您能更便捷地将这份卓越集成到您的创新中，我们推荐您通过值得信赖的ST代理商进行采购。他们不仅能提供正品保障和稳定的货源，还能为您带来专业的技术支持与供应链服务，让您的产品从设计到量产全程无忧。立即行动，让STD1NK80ZT4成为您下一款明星产品的“心脏”，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章！

• 型号:STD1NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD1NK80ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。