STD22NM20NT4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和系统热管理而烦恼？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。我们隆重推出STD22NM20NT4，这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其200V的耐压和高达22A的连续漏极电流能力，为您的高功率密度应用注入强劲动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh II系列先进技术的结晶，旨在将导通电阻与开关性能提升到一个全新的平衡点，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，能量转换的效率直接决定了产品的生命力和用户口碑。STD22NM20NT4正是为这些严苛场景而生。其105毫欧的超低导通电阻（在11A，10V条件下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非浪费在发热上。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗。这双管齐下的优势，直接转化为更低的系统温升、更高的整体效率，以及更紧凑的散热设计空间，让您的设备运行更凉爽、更安静、更持久。

选择STD22NM20NT4，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。ST意法半导体深厚的工艺底蕴，赋予了这款器件卓越的稳定性和一致性，其工作温度范围宽达-65°C至150°C，从容应对各种恶劣环境挑战。DPAK的表面贴装封装，兼顾了功率处理能力和自动化生产的便利性。虽然该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的平稳与安全。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品价值加码的战略投资，让高效能与高可靠性成为您产品的核心标签。

• 型号:STD22NM20NT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD22NM20NT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。