STD2HNK60Z

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高可靠性与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个卓越的答案STD2HNK60Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和SuperMESH技术的加持，正在重新定义中小功率高压开关应用的性能标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，需要一颗能够在高压下稳定、高效工作的开关器件。STD2HNK60Z正是为此而生。其2A的连续漏极电流和低至4.8欧姆的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更低的温升和更长的系统寿命。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制中的电机驱动辅助电路，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择STD2HNK60Z，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的SuperMESH技术专为优化高压性能而设计，在相同的芯片面积下实现了更优的导通电阻与栅极电荷乘积，让您的开关速度更快，开关损耗更低。仅15nC的低栅极电荷，大大减轻了驱动电路的负担，让设计更简洁。而DPAK封装则提供了出色的功率耗散能力（高达45W）和便于自动化生产的表面贴装便利性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD2HNK60Z成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STD2HNK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2HNK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。