STD2N62K3

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭620V高压与2.2A电流，却将导通电阻和栅极电荷双双压至低位的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？答案就在STD2N62K3之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是SuperMESH3技术精髓的体现，它用高达45W的功率处理能力和150°C的结温，为您的设计构筑了坚实可靠的能量基石。

无论是紧凑型开关电源(SMPS)、高要求的LED照明驱动，还是需要高效功率转换的工业辅助电源，STD2N62K3都能游刃有余。其3.6欧姆的低导通电阻（@1.1A, 10V）意味着更低的传导损耗，而仅15nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗，让系统整体效率轻松攀升。在空间受限的PCB上，其DPAK表面贴装封装提供了优异的散热性能和便捷的装配工艺，让工程师能够更专注于系统架构的创新，而非被散热难题束缚手脚。

选择STD2N62K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它代表了在高压、高效率与高可靠性之间的完美平衡。当您需要为关键应用寻找值得信赖的功率核心时，这颗芯片就是那个能让您放心的答案。我们作为专业的ST代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供深入的技术支持，帮助您将这颗强大芯片的潜力完全释放，赋能您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STD2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。