STD2N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性的三重挑战？今天，我们为您带来一个堪称完美的解决方案STD2N95K5。这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和先进的SuperMESH5技术，正在重新定义中高压开关应用的性能标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STD2N95K5能够轻松应对严苛的电压应力。其卓越的5欧姆低导通电阻（在1A，10V条件下），意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，这颗芯片都能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备在极端环境下依然表现如一。选择它，就是为您的核心功率链路注入了ST的尖端基因。

那么，为何众多领先企业都将STD2N95K5作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（仅10nC @ 10V）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统能够工作在更高频率，从而缩小磁性元件体积，实现更紧凑、更轻量化的设计。DPAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达45W），兼顾了性能与PCB空间利用率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的官方ST代理网络将为您提供从选型到量产的全方位服务。从原型验证到批量部署，STD2N95K5以其坚固耐用、高效节能的特性，成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的信心之选。

• 型号:STD2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。