STD2NC45-1

在追求极致能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STD2NC45-1，这颗N沟道MOSFET以其高达450V的漏源电压和卓越的开关特性，正重新定义中低功率高压应用的标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）辅助电源、LED照明驱动或是家用电器功率转换模块中，STD2NC45-1正稳定高效地工作着。它凭借SuperMESH技术的加持，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在频繁开关的电路中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽，效率更高，直接转化为更长的产品寿命和更低的运营成本。其宽广的-65°C至150°C结温工作范围，确保了从严寒到酷热各种严苛环境下的稳定输出，为您的产品可靠性提供了坚实的保障。

选择STD2NC45-1，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保证。它1.5A的连续漏极电流能力与30W的功率耗散，精准匹配了众多主流应用的需求。其通孔IPAK封装兼顾了安装便利性与良好的散热性能，让您的生产与维护都更加轻松。更重要的是，当您通过我们官方授权的ST一级代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和具有竞争力的价格，更有专业的技术支持、稳定的供货渠道以及全方位的供应链服务。让我们携手，用STD2NC45-1的强大内核，为您的下一个成功产品注入澎湃而可靠的动力！

• 型号:STD2NC45-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD2NC45-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。