STD2NK70ZT4

在追求极致能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？想象一下，一款能在700V高压下稳定工作，同时将导通损耗降至最低的功率开关器件，将如何彻底改变您的产品表现？这正是STD2NK70ZT4为您带来的核心价值。作为ST意法半导体SuperMESH家族的杰出成员，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是工程师应对苛刻高压环境的信心之选。

这颗芯片的卓越之处，首先体现在其坚固的电气性能上。高达700V的漏源击穿电压，让它能在工业电源、离线式开关电源(SMPS)、LED照明驱动以及家用电器辅助电源等场景中游刃有余。面对电网波动或复杂的电磁环境，它能提供坚实的保护屏障，确保系统的心脏功率转换部分稳定跳动。而其1.6A的连续漏极电流能力，配合仅为7欧姆的低导通电阻（在10V驱动、800mA条件下），意味着在导通期间的能量损耗被大幅削减。更低的损耗直接转化为更高的整机效率、更小的散热需求和更紧凑的产品设计，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时拥有更长的使用寿命和更低的运行成本。

选择STD2NK70ZT4，就是选择了一套经过市场验证的成熟解决方案。其采用的SuperMESH技术，是ST在高压MOSFET领域深厚功力的结晶，专为优化开关性能和降低栅极电荷而设计。仅11.4nC的栅极电荷和280pF的输入电容，使得驱动电路的设计更为简单高效，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。DPAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达45W），并兼顾了表面贴装生产的便利性与高功率密度需求。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能可靠运行。当您需要稳定、高效的货源和技术支持时，可以信赖专业的ST芯片代理，他们能为您提供从选型到供应的完整服务链。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在特定升级、维护或库存优化项目中依然极具价值，是构建高可靠性、高性价比电源系统的经典之选。

• 型号:STD2NK70ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 800mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2NK70ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。