STD30NF03LT4

在追求极致效率的电源管理和电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在有限空间内稳定输出强劲功率的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的可靠解决方案STD30NF03LT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能和坚固的可靠性，早已成为众多工程师心中高效率、高密度设计的基石。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的关键赋能者。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器模块中，需要高效地进行能量转换；在蓬勃发展的无人机或电动工具中，电机需要被精准而有力地驱动；甚至在汽车辅助系统的负载开关中，要求器件能够承受严苛的环境考验。STD30NF03LT4正是为这些场景而生。它30V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流能力，为中等电压范围的应用提供了充沛的动力支持。其标志性的低导通电阻（典型值远低于25毫欧），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择STD30NF03LT4，就是选择了一份源自STripFET II先进技术平台的品质承诺。这项技术优化了芯片的单元结构，在保证快速开关性能的同时，显著降低了栅极电荷和输入电容。这意味着驱动电路可以更简单，开关速度可以更快，开关损耗得以进一步降低。其宽广的工作温度范围（-65°C至175°C）和坚固的DPAK封装，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，大大提升了终端产品的耐用性和可靠性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值，通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取到高品质的货源，为您的经典产品或特定需求提供持续保障。让这颗久经沙场的“功率开关”助力您的设计，将高效与可靠进行到底。

• 型号:STD30NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF03LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。