STD30NF04LT

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，是否正在寻找一颗能在紧凑空间内稳定输出强大功率的“心脏”？今天，我们为您带来一个经典而强大的选择STD30NF04LT。这颗来自意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，以其40V的耐压和高达30A的连续漏极电流能力，早已在工业控制、汽车电子和消费类电源领域证明了其卓越的可靠性。即便它已进入停产序列，但其成熟的性能、广泛的应用验证以及通过ST代理渠道依然可获取的稳定库存，使其成为许多经典设计升级或长期生产项目的明智之选。

当您面临DC-DC转换器、电机驱动桥臂或负载开关的设计挑战时，STD30NF04LT正是您可靠的伙伴。它在10V驱动电压下，导通电阻低至30毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统整体效率。无论是驱动小型伺服电机，还是管理电池供电设备的功率路径，这颗芯片都能确保能量高效、精准地传递。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，非常适合空间受限但要求功率密度的应用场景。

选择STD30NF04LT，不仅仅是选择了一个电子元件，更是选择了一份经过市场千锤百炼的稳定与安心。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在苛刻环境下的稳定运行。虽然产品状态标注为“停产”，但这往往意味着其设计已极度成熟，供应链中的库存和替代方案规划更为清晰，对于不需要追逐最新型号、但极其看重长期供应稳定性和成本控制的项目而言，这反而构成了一种独特的优势。让这颗经典芯片的卓越性能，继续为您的创新产品注入强劲而可靠的动力。

• 型号:STD30NF04LT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF04LT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。