




STD30NF06LT4
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DPAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STD30NF06LT4参数详情:
在追求更高效率与更小体积的现代电子设计中,您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡?当面对需要处理高达35A电流、60V电压的严苛应用时,一颗兼具强大性能与出色可靠性的MOSFET,往往是决定项目成败的关键。今天,我们向您隆重介绍意法半导体STripFET家族的明星成员STD30NF06LT4,它将以其卓越的电气特性,为您的设计注入澎湃动力与非凡效率。
想象一下,在您的电机驱动系统中,每一次精准的启停与调速,都离不开快速、干净的开关动作。STD30NF06LT4凭借其极低的导通电阻(典型值仅28毫欧@10V),能将导通损耗降至最低,这意味着更少的能量以热量的形式被浪费,系统整体能效显著提升,设备运行起来更“冷静”、更持久。无论是电动工具、工业自动化中的电机控制,还是汽车领域的风扇驱动、泵类控制,它都能游刃有余地应对。其高达70W的功率耗散能力,配合DPAK封装优秀的散热特性,确保了即使在连续大电流工作环境下,也能保持稳定输出,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借卓越的可靠性脱颖而出。
这颗芯片的价值远不止于强大的电流处理能力。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,意味着它能够被标准逻辑电平(5V或10V)轻松驱动,开关速度更快,开关损耗更低。这对于高频开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及高效的LED照明驱动等应用而言,是梦寐以求的特性。它能帮助您设计出频率更高、体积更小、效率更优的电源方案,直接提升终端产品的竞争力。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围,更是赋予了它适应极端环境的能力,无论是酷热的户外设备内部,还是严寒的工业现场,都能稳定如一。
选择STD30NF06LT4,就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。STripFET技术带来的低导通电阻与快速开关性能的完美平衡,已经过全球无数成功应用的验证。当您需要将这份卓越性能集成到您的下一个伟大设计中时,选择一家可靠的ST代理商至关重要,他们不仅能提供正品保障和具有竞争力的价格,更能为您提供专业的技术支持和及时的供货服务,让您的创新之路畅通无阻。现在就为您的项目配备这颗高效能引擎,开启更高性能、更高可靠性的设计新篇章!
- 型号:STD30NF06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 18A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):31 nC @ 5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):70W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- STD30NF06LT4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















