STD30NF06T4

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载高功率，又能保持低损耗与快速响应的开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STD30NF06T4，这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破性能瓶颈、释放系统潜能而生的卓越选择。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或电源管理单元中，一颗开关器件需要以极高的频率工作，每一次导通与关断都伴随着能量的转换与损耗。STD30NF06T4凭借其先进的STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的28毫欧（@15A, 10V），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。高达28A的连续漏极电流承载能力和60V的漏源电压，赋予了它强大的功率处理能力，让您的设计在面对浪涌电流和高负载时依然从容不迫。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让系统整体效率跃升新台阶。

无论是工业自动化中的伺服驱动器、不断电系统（UPS），还是消费电子中的高效适配器、电动工具，甚至是汽车电子中的辅助控制系统，STD30NF06T4都能完美融入。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的DPAK封装，保证了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一种提升产品竞争力、降低系统总成本、并赢得市场先机的可靠策略。我们作为值得信赖的ST代理，致力于为您提供从这颗卓越芯片到完整技术支持的全程服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STD30NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NF06T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。