STD3N62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低导通电阻与卓越开关性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD3N62K3。这款来自ST意法半导体SuperMESH3家族的明星产品，正是为应对严苛应用而生的高效能解决方案。

无论是需要可靠离线式开关的开关电源（SMPS），还是对效率有极致要求的LED照明驱动，甚至是各类辅助电源和电机控制应用，STD3N62K3都能游刃有余。其620V的高漏源电压提供了充足的电压裕度，确保在电网波动或感性负载下依然稳定可靠。而2.7A的连续漏极电流能力，配合仅2.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。这不仅提升了整体系统效率，也直接简化了您的散热设计，让产品结构更紧凑，成本更优化。

选择STD3N62K3，就是选择了一份由尖端技术背书的高性能保障。SuperMESH3技术是其强大内核，显著优化了开关特性，13nC的低栅极电荷让开关速度更快、损耗更低，轻松应对高频开关需求。高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了它出色的鲁棒性和热稳定性，即使在恶劣环境下也能持久稳定运行。其表面贴装DPAK封装，非常适合自动化生产，提升您的制造效率。当您寻求可靠的原厂品质与技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，无疑是确保产品正宗、供应稳定并获得专业服务支持的最佳途径。让STD3N62K3成为您下一代高效能设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STD3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。