STD3NK100Z

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压环境下的开关损耗与散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH系列中的高压利器STD3NK100Z。这颗N沟道MOSFET以其高达1000V的漏源电压和仅为6欧姆的低导通电阻，重新定义了高压应用的性能边界。它不仅意味着更低的传导损耗，更代表着在严苛工况下依然稳定可靠的卓越表现，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。

想象一下，在工业开关电源、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或是离线式转换器中，STD3NK100Z能够轻松应对高压摆幅，实现高效、快速的功率切换。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了驱动简单且开关速度迅捷，有效降低了开关过程中的能量损耗。这意味着您的系统整体效率将得到显著提升，温升更低，寿命更长。无论是面对持续的高压工作，还是瞬态的能量冲击，它都能游刃有余，为您的核心电路提供坚实的保护。

选择STD3NK100Z，就是选择了一份来自意法半导体尖端SuperMESH技术的品质保证。其表面贴装型DPAK封装，在提供高达90W散热能力的同时，也满足了现代电子设备对空间布局的苛刻要求。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。更重要的是，通过我们信赖的ST中国代理，您可以获得稳定可靠的货源、专业的技术支持以及具有竞争力的价格，确保您的项目从研发到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

• 型号:STD3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。