STD3NK60ZD

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在紧凑的空间内实现高效的功率转换，同时确保系统在严苛环境下稳定运行？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD3NK600ZD。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和SuperFREDmesh技术的卓越基因，正是为提升您的产品竞争力而生。它不仅是一颗元器件，更是您实现设计突破、赢得市场先机的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STD3NK600ZD正发挥着核心作用。其高达2.4A的连续漏极电流和仅3.6欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的控制电路，这颗芯片都能帮助您的系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，将热量和能量浪费降至最低，让最终产品运行更安静、更凉爽、寿命更长久。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲而高效的“心脏”。

那么，在众多功率器件中，为何STD3NK600ZD值得您特别关注？答案在于其背后强大的技术底蕴与实用价值的完美结合。ST的SuperFREDmesh技术确保了出色的开关性能和抗雪崩能力，而DPAK封装则兼顾了功率处理能力与PCB占板面积的平衡，非常适合空间受限的现代设计。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、可靠的性能以及在存量市场和特定项目中的持续需求，使其依然具有重要的应用价值。对于寻求稳定供应与经典性能方案的设计师而言，通过专业的ST芯片代理渠道，您依然可以获取这颗久经考验的芯片，为您的经典产品或维护项目提供坚实保障。让它成为您可靠设计版图中的一部分，化繁为简，专注创新。

• 型号:STD3NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK60ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。