STD3NK60ZT4

当您在设计下一个电源转换或电机驱动方案时，是否曾为如何在有限的成本和空间内，实现高能效与可靠性的完美平衡而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD3NK60ZT4。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和优化的开关特性，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在紧凑的适配器、PC电源或照明镇流器中，STD3NK60ZT4能够稳定高效地处理功率转换任务。其2.4A的连续漏极电流和仅3.6欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的设备在长时间运行中依然保持“冷静”，显著提升能效等级并延长使用寿命。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制中的低功率电机驱动，这颗芯片都能游刃有余，确保系统运行如丝般顺滑。

选择STD3NK60ZT4，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。虽然它已不适用于全新设计，但其成熟的工艺、广泛的验证和出色的可靠性，使其成为对成本敏感且追求稳定性的升级或延续性项目的理想之选。其DPAK封装非常适合自动化表面贴装生产，能帮助您优化制造流程。当您需要可靠的供应链支持时，我们的ST芯片代理服务将确保您能及时、稳定地获得这颗优质芯片，让您的项目推进再无后顾之忧。让STD3NK60ZT4成为您设计中那个默默奉献却至关重要的“能量心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:STD3NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。