STD3NK80Z-1

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD3NK80Z-1。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的超高耐压和SuperMESH技术的卓越基因，正重新定义中高压应用场景的性能标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统效率、增强产品耐用性的强大引擎，让能量转换过程更加顺畅、损耗更低，为您的设计注入前所未有的活力与信心。

想象一下，在开关电源的初级侧，尤其是在反激式或正激式拓扑中，STD3NK80Z-1能够从容应对高达800V的电压应力，为您的AC-DC适配器、工业电源或LED驱动提供坚固的防线。其2.5A的连续电流能力，配合优化的导通电阻与栅极电荷，意味着在频繁开关的过程中，它能实现更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是家用电器中的待机电源，还是需要稳定可靠供电的电机驱动辅助电路，这颗芯片都能确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行，让您的产品在各种环境下都表现出色。

选择STD3NK80Z-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它所采用的SuperMESH技术，是ST在高压MOSFET领域的王牌，通过精心优化的单元结构，在击穿电压、导通电阻和动态性能之间取得了完美平衡。这意味着您无需在性能与成本之间艰难取舍。其通孔IPAK封装不仅提供了出色的散热能力，确保70W的功率耗散潜力得以发挥，也便于在PCB上进行可靠的焊接与安装。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品的保障，还能得到及时的技术支持与供应服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将STD3NK80Z-1纳入您的设计库，体验它如何以更少的损耗、更强的鲁棒性和更长的使用寿命，为您的终端产品创造显著的竞争优势与市场价值。

• 型号:STD3NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD3NK80Z-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。