STD3NK90ZT4

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受900V高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案来了。来自ST意法半导体SuperMESH家族的明星产品STD3NK90ZT4，正是为征服此类挑战而生。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建坚固、高效电源系统的信心基石。

想象一下，在工业开关电源、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，电压应力巨大，环境复杂多变。STD3NK90ZT4凭借其高达900V的漏源击穿电压和优化的SuperMESH技术，为您构筑起一道可靠的高压防线。其4.8欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通时损耗更低，电能转换更高效，直接帮助您的终端产品减少发热，提升整体能效。这颗芯片能在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，无论是严寒还是酷热的环境，都能确保系统持续运行，大大拓宽了产品的应用疆界。

选择STD3NK90ZT4，就是选择了一份从容与安心。其DPAK封装不仅节省空间，适合自动化表面贴装生产，更能有效散热，将高达90W的功率耗散能力转化为实实在在的可靠性。更低的栅极电荷（典型值22.7nC）意味着驱动更简单，开关速度更快，有助于减少开关损耗，提升系统频率和功率密度。当您需要可靠的供应链和技术支持时，可以通过官方授权的ST代理商获取正品货源与专业服务。从原型设计到量产，STD3NK90ZT4以其卓越的性能和稳定性，成为工程师们在高压应用领域信赖的伙伴，助您轻松将创新构想转化为具有市场竞争力的卓越产品。

• 型号:STD3NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK90ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。