STD3NM50T4

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而犹豫？当550V的电压平台与紧凑的DPAK封装相遇，STD3NM50T4给出了一个令人心动的答案。这颗源自ST意法半导体MDmesh技术家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、简化设计难度的得力伙伴。它凭借高达550V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力，在严苛的高压环境中展现出卓越的稳定性，而其优化的导通电阻与栅极电荷特性，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的电源系统效率更高、温升更低，运行起来更加安静可靠。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STD3NM50T4正扮演着能量高效转换的核心角色。它尤其适用于那些空间受限但对性能毫不妥协的离线式电源适配器、LED驱动以及工业辅助电源模块。其表面贴装的DPAK封装，完美适配现代自动化生产线，大大提升了生产装配的效率与一致性。选择它，意味着您为产品注入了来自国际顶尖半导体制造商的技术基因，确保了从原型设计到批量生产的一致高品质。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供正品保障，更能带来专业的技术支持和灵活的供应链服务。

那么，为何众多工程师在面临高压MOSFET选型时，会倾向于STD3NM50T4？理由清晰而有力：首先是其背后强大的MDmesh技术平台，该技术以超低的单位面积导通电阻著称，确保了在高压下依然拥有出色的导电性能。其次，高达150°C的结温（TJ）和46W的功率耗散能力，赋予了它极强的过载耐受性和热可靠性，让您的设计余量更加充裕，产品寿命显著延长。最后，尽管该型号已停产，但其成熟的设计、广泛的市场验证以及通过可靠渠道仍可获取的库存，使其成为许多经典设计升级或特定需求项目的稳健之选。它代表的是一种经过时间考验的价值用一颗可靠的芯片，守护整个系统的长久稳定运行。

• 型号:STD3NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:46W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NM50T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。